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Ag Diamond 銀鑽石複合散熱片材料

700 W/(m·K) 高熱傳導 × 8.1 ppm/K 低熱膨脹,高功率模組散熱的新世代選擇

                                                                          

Ag Diamond 是益瑞代理之國際原廠為高功率模組開發的銀-鑽石複合散熱片(heatsink)材料。熱傳導率達 700 W/(m·K)——約為純銅(394 W/(m·K))的 1.8 倍、CuW(174 W/(m·K))的 4 倍;熱膨脹係數僅 8.1 ppm/K(RT–800°C),與 CuW(7.9 ppm/K)相近而遠低於純銅(19.4 ppm/K),可在大幅提升散熱能力的同時,降低對晶片與陶瓷封裝的熱應力。平坦度 14 μm 與 CuW 同級,並可沿用與 CuW 相同的製程與硬焊(brazing)整合方式,既有產線導入門檻低,適用於次世代 RF 與功率半導體封裝。

產品規格


材料結構銀(Ag)基材+鑽石(Diamond)顆粒複合材料
熱傳導率700 W/(m·K)
熱膨脹係數(CTE)8.1 ppm/K(RT–800°C)
平坦度(Flatness)14 μm(量測面積 10.4×5.6 mm)
適用封裝尺寸約 10×10 ~ 100×100 mm
製程相容性可沿用與 CuW 相同的製程;硬焊(brazing)整合
搭配陶瓷封裝AlN、Al2O3 等陶瓷封裝材料
產品階段開發階段(受理送樣評估/設計導入洽詢)

應用領域

  • 高功率模組(High Power Module)散熱
  • RF/通訊基地台
  • 衛星通訊
  • 雷射加工設備
  • 次世代 RF 與功率半導體封裝

產品特色


  • 熱傳導率 700 W/(m·K),約為 CuW 的 4 倍、純銅的 1.8 倍
  • CTE 8.1 ppm/K(RT–800°C),與 CuW 相近,僅純銅的一半以下,顯著降低熱應力
  • 平坦度 14 μm,與 CuW 同級
  • 可沿用與 CuW 相同的製程與硬焊整合方式,既有產線導入門檻低
  • 可與 AlN、Al2O3 陶瓷封裝硬焊整合

散熱片材料對照表

項目Ag Diamond純銅 CuCuWCuMo
熱傳導率 W/(m·K)700394174195
CTE ppm/K(RT–800°C)8.119.47.97.5
平坦度14 μm14 μm
對晶片熱應力


→ Ag Diamond 在維持與 CuW 同等級低熱膨脹係數的前提下,將熱傳導率提升至約 4 倍, 是目前散熱片材料中兼顧高導熱與低 CTE 的方案。

FAQ

Ag Diamond 的熱傳導率為 700 W/(m·K),約為 CuW(174 W/(m·K))的 4 倍;熱膨脹係數 8.1 ppm/K 與 CuW(7.9 ppm/K)相近,平坦度同為 14 μm 等級,且可沿用與 CuW 相同的製程,既有產線導入門檻低。

Ag Diamond 的熱傳導率(700 W/(m·K))約為純銅(394 W/(m·K))的 1.8 倍,熱膨脹係數(8.1 ppm/K)不到純銅(19.4 ppm/K)的一半,能大幅降低對晶片與陶瓷封裝的熱應力,提升產品可靠度。

可與 AlN(氮化鋁)、Al₂O₃(氧化鋁)等陶瓷封裝材料以硬焊(brazing)方式整合,作為高功率模組的散熱片。

適用於高功率模組的熱管理,包括 RF/通訊基地台、衛星通訊、雷射加工設備,以及次世代 RF 與功率半導體封裝。

Ag Diamond 目前為開發階段產品,受理送樣評估與設計導入洽詢。歡迎透過表單與我們聯繫,將由專人協助評估您的應用需求。